(1)全桥的检测。P1010NXN5KHB大多数的整流全桥上均标注有“+”、 “-”、 “~”符号(其中“+”为整流后输出电压的正极,“-”为整流后输出电压的负极,“~”为交流电压输人端),很容易确定出各电极。

    检测时,通过分别测量“+”极与两个“~”极、“-”极与两个“~”之间各整流二极管的正、反向电阻值(与普通二极管的测量方法相同)是否正常,即可判断该仝桥是否已损坏。若测得全桥内某只二极管的正、反向电阻值均为0或均为无穷大,则可判断该二极管已击穿或开路损坏。

   (2)半桥的检测。半桥由两只整流二极管组成,通过万用表分别测量半桥内部的两只二极管的正、反电阻值是否正常,即可判断出该半桥是否正常。

   (3)高压硅堆的检测。高压硅堆内部是由多只高压整流二极管(硅粒)串联组成的,检测时,可用万用表的R×10k挡测量其正、反向电阻值。正常的高压硅堆,其正向电阻值大于⒛0kΩ,反向电阻值为无穷大。若测得其正、反向均有一定电阻值,则说明该高压硅堆已软击穿损坏。

  三相整流桥模块检测

  以西门子整流桥模块为例,将数字式万用表拨到二极管测试挡,黑表笔接C0M孔,红表笔接Ⅴ/Ω孔,用红、黑表笔先后测3、4、5相与2、1极之间的正、反向二极管特性,来检查判断整流桥是否完好。所测的正、反向特性相差越大越好;如正、反向为零,则说明所检测的一相已被击穿短路;如正、反向均为无穷大,则说明所检测的一相已经断路。流桥模块只要有一相损坏,就应更换。