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屏蔽罩的屏蔽效能

发布时间:2017/3/12 21:06:22 访问次数:1058

   可用屏蔽效能(sE)对屏蔽罩的适用性进行评估,其单位是分贝,计算式为

    吸收损耗,单位为dB;


   反射损耗,单位为dB;

   校正因子,单位为dB(适用于薄屏蔽罩内存在多个反射的情况)。

一个简单的屏蔽罩会使所产生的AT49BV1614T-90TC电磁场强度降至最初的1/10,即SE=⒛dB;而有些场合可能会要求将场强降至最初的十万分之一,即SE)100dB。吸收损耗是指电磁波穿过屏蔽罩时能量损耗的数量,吸收损耗近场反射损耗的大小取决于电磁波源的性质及屏蔽罩与波源的距离。

   对于杆状或直线形发射天线而言,此时发射将以电场为主,离波源越近波阻越高,然后随着与波源距离的增加而下降,当距离超过波长的1/6时,波阻不再变化,恒定在377Ω处。但平面波阻则无变化(恒为377Ω)。相反,如果波源是一个小型线圈,则此时发射将以磁场为主,离波源越近波阻越低。波阻随着与波源距离的增加而增加,当距离超波长的1/6时,波阻不再变化,恒定在贸7Ω处。

   反射损耗随波阻与屏蔽阻抗的比率变化,因此它不仅取决于波的类型,而且取决于屏蔽罩与波源之间的距离。这种情况适用于小型带屏蔽的设备。




   可用屏蔽效能(sE)对屏蔽罩的适用性进行评估,其单位是分贝,计算式为

    吸收损耗,单位为dB;


   反射损耗,单位为dB;

   校正因子,单位为dB(适用于薄屏蔽罩内存在多个反射的情况)。

一个简单的屏蔽罩会使所产生的AT49BV1614T-90TC电磁场强度降至最初的1/10,即SE=⒛dB;而有些场合可能会要求将场强降至最初的十万分之一,即SE)100dB。吸收损耗是指电磁波穿过屏蔽罩时能量损耗的数量,吸收损耗近场反射损耗的大小取决于电磁波源的性质及屏蔽罩与波源的距离。

   对于杆状或直线形发射天线而言,此时发射将以电场为主,离波源越近波阻越高,然后随着与波源距离的增加而下降,当距离超过波长的1/6时,波阻不再变化,恒定在377Ω处。但平面波阻则无变化(恒为377Ω)。相反,如果波源是一个小型线圈,则此时发射将以磁场为主,离波源越近波阻越低。波阻随着与波源距离的增加而增加,当距离超波长的1/6时,波阻不再变化,恒定在贸7Ω处。

   反射损耗随波阻与屏蔽阻抗的比率变化,因此它不仅取决于波的类型,而且取决于屏蔽罩与波源之间的距离。这种情况适用于小型带屏蔽的设备。




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