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多电容并联时的合成衰减特性

发布时间:2017/3/2 22:02:32 访问次数:345

   通常去耦电容在谐振频率附近能得到较好滤波效果。若需要滤除的骚扰频率范围较宽, C0402C0G1C080D020BC常用的做法是将两个或多个不同容量的去耦电容并联,如图3-5所示,这样可以在更宽的频谱分布范围内降低电源网络产生的开关骚扰。多个去耦电容能提供更宽的频谱范围的骚扰抑制,因此也就能更有效地改善去耦能力。大小电容的取值一般相差两个数量级,可以提供有效的去耦(如0.1uF+0.0O1uF并联),这是控制滤波元器件成本和保证滤波效果之间的一个折中选择。

   图3-5 多电容并联时的合成衰减特性

    

   数字电路的去耦,低的ESR值比谐振频率更为重要,因为低的ESR值可以提供更低的接地阻抗。这样当骚扰超过谐振频率、电容呈现感性时,仍能保持较低阻抗以提供足够的去耦能力。


   通常去耦电容在谐振频率附近能得到较好滤波效果。若需要滤除的骚扰频率范围较宽, C0402C0G1C080D020BC常用的做法是将两个或多个不同容量的去耦电容并联,如图3-5所示,这样可以在更宽的频谱分布范围内降低电源网络产生的开关骚扰。多个去耦电容能提供更宽的频谱范围的骚扰抑制,因此也就能更有效地改善去耦能力。大小电容的取值一般相差两个数量级,可以提供有效的去耦(如0.1uF+0.0O1uF并联),这是控制滤波元器件成本和保证滤波效果之间的一个折中选择。

   图3-5 多电容并联时的合成衰减特性

    

   数字电路的去耦,低的ESR值比谐振频率更为重要,因为低的ESR值可以提供更低的接地阻抗。这样当骚扰超过谐振频率、电容呈现感性时,仍能保持较低阻抗以提供足够的去耦能力。


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