(1)普通型达林顿晶体管的检测

   普通型达林顿晶体管性能质量的检测方M29W160ET70N6法与普通晶体管的检测方法基本一致:即首先准万用表置于R×10k挡位。

   ①若管型为PNP时,测量基极与发射极之间的正、反向电阻值,正向电阻值通常为5~30kΩ,反向电阻值为∞;坝刂量基极与集电极之问的正、反向电阻值,正向电阻值通常为10kΩ,反向电阻值为∞;测量集电极与发射极之间的电阻值,通常该阻值应接近于∞。

   上述测量过程中,若基极与发射极之间、基极与集电极之间的正、反向电阻或集电极与发射极之间的电阻测量值为0或接近于0,则表明该达林顿晶体管已经被击穿损坏;若基极与发射极之间、基极与集电极之间的正向电阻值为∞,则表明该达林顿晶体管已存在开路故障。

   ②管型为NPN时,将红、黑表笔对调,重复上述方法与步骤,即可测出NPN型达林顿管的性能质量。

   (2)大功率达林顿晶体管的检测

   由图645可知,这类晶体管在集电极与发射极之间反向接入并附加接人一支过电压保护二极管(续流二极管),以确保晶体管不被击穿;在VT1和VT2的发射结上分别并联电阻l和R2,其作用是为漏电流提高泄放支路。由于达林顿晶体管接人了VD、R1和R2等保护和泄漏电流的元器件,故检测时应重点考虑上述元器件对测量数据的影响。