光刻蚀T艺是和照相、蜡纸印刷比较接近的一种多步骤的图形转移过程。开始将AD8032ARZ一个电路的设计转化为器件和电路的各个部分的3个维度，、接下来绘出X．Y（表面）的尺寸、形状和表面对准的复合图。然后将复合图分割成单独掩模层（一套掩模）。这个电子信息被加载到图形发生器中。来自图形发生器( pattern generator)的信息又被用来制造放大掩模版( reticle)和光刻掩模版(photomask)。或者信息可以驱动曝光和对准设备来直接将图形转移到晶圆.

   。它们是：

   1．复制在一块石英板( reticle)E铬层的芯片专门层的图形。二依次使用reticle来产生一个携带用于整个晶圆图形的光拖模（见图4. 13）。

   2．reticle可以使用步进光刻机(stepper)，直接用于晶圆表面层的图形（见第10章）。

   3．在图形发生器中的电路层的信息（尺寸、形状和对准等）可以直接用于导引电子束或其他源到晶片表面( direct write-)（见第10章）。

   这里描述的十步基本图形化工艺在对准和曝光步骤使用放大掩模版或光刻掩模版。，图形转移是通过两步来完成的。首先，图形被转移到光刻胶层。光刻胶类似胶卷上所涂的感光物质。曝光后会导致它自身性质和结构的变化。光刻胶被曝光的部分由可溶性物质变成了非溶性物质。这种光刻胶类型被称为负胶( negative acting)，这种化学变化称为聚合( polymerization)。通过化学溶剂（显影剂）把可以溶解的部分去掉，就会在光刻胶层留下一个孔，这个孑L和掩模版或光刻母版不透光的部分相对应。