图形化工艺是要在晶圆内和表面层建立图形的一系列加工，这些图形根据集成电路中物理“部件”（器件）的要求来确定其尺寸和位置。 AD8018AR-REEL7这一章介绍‘步基本图形化工艺流程的前4步，并讨论光刻胶的化学性质。

   图形化工艺还包括光刻( Photolithography)、光掩模(Photomasking)、掩模(Masking)、去除氧化膜( Oxide Removal，OR)、去除金属膜(Metal Removal，MR)和微光刻(Microlithography)、，图形化工艺是半导体工艺过程中最重要的工序之一，它是用来在不同的器件和电路表面仁建立图形的工艺过程。这个工艺过程的目标有两个：

   1．在晶圆中和表面上产生图形，这些图形的尺寸在集成电路或器件设计阶段建立．

   2．将电路图形相对于晶圆的晶向及以所有层的部分对准的方式，正确地定位于晶圆上。

   除了两个结果外，有许多工艺变化。或者限定晶圆表面层被去除部分（孔），或者限定晶圆表面层留下部分（岛）。

   正确的放置彼称为各种电路图形的对准( Alignment)或注册(Registration)。一种集成电路工艺要求40个以上独立的光刻（或掩模）步骤。图形定位的要求就好像是一幢建筑物每一层之间所要求的正确对准。