在大多数制造生产线上，C/V分析也用来确认炉管及相关部件的洁净度。一个低的AD8016ARB-REEL可移动离子污染的氧化膜意味着整个系统是洁净的。当氧化膜不能通过这一测验规定的标准时需要进一步调查来确定其污染来源，，

   第二个与氧化膜清洁有关的参数是介电强度。这一参数通过对氧化层的破坏性测试来测量氧化层的介电特性（非导电）．，

   第三个洁净度因素是氧化层的折射率。折射是光线通过透明物质时产生的弯曲现象∥一种物体的底部在水中的实际位置与其外观L_看到的位置不同就是一个典型的例子。纯氧化膜的折射率是1. 46。这一数值的变化反映了氧化层不纯的程度。折率常数是许多应用干涉原理测量厚度技术的基础。参数的变化会导致错误的测量结果。折射率用干涉祁椭圆偏光法技术来测量（见第14章）。

   不同氧化工艺的组成可以安排成一个组合形式( cluster arrangement)（见第15章）。 在小的、高性能的MOS晶体管的生产中，一个重要因素是薄的栅氧化层。然而，在ioo A（或更薄）范围内，二氧化硅膜质量趋于变差，并难以控制。二氧化硅膜的一种替代品是热生长氮化硅膜( Si3 N4)。在这么薄的范围内，氮

化硅膜比二氧化硅膜更致密，针孔更少。它还是一种很好的扩散阻挡层。由于在最初快速生长之后的平滑生长特性，使得薄膜的生长控制得到加强。图7. 32显示了这个特性。这一反应是在950℃~ 1200℃之间，硅表面暴露在氨气(NH3)中而生成氮化硅的29。

   有些先进器件使用氮化氧化硅( Si0，N，)膜，也称为氮氧化物( nitride-oxide)膜。它们形成于二氧化硅膜的氮化，但不像二氧化硅膜。氮氧化物膜的组分随着不同的生长工艺而变化[30]。另一种MOS(100>硅的氮化.