电子倍增CCD成像器件(Electron Multiplying CCD，EMCCD)继承了CCD器件优点，JLC1562BFG并具有与ICCD相近的灵敏度。EMCCD芯片中具有一个位于CCD芯片的转移寄存器和输出放大器之间的特殊的增益寄存器。增益寄存器的结构和一般的CCDJLC1562BFG类似，只是电子转移第二阶段的势阱被一对电极取代，第一个电极上为固定值电压，第二个电极按标准时钟频率加上一个高电压(40～50 V)。通过两个电极之间高电压差形成对待转移信号电子的冲击电离形成新的电子。尽管每次电离能够增加的新电子数日并不多，但通过多次电离，就可将电子的数目大大提高。目前每次电离后电子的数目大约是原来的1.015倍，如果通过591次倍增后，电子数目是原先的6630倍。由于大幅提高了输出信号的强度，使得CCD固有的读出噪声对于系统的影响减小。EMCCD具有很高的信噪比，且具有比ICCD更好的空间分辨率，输出图像的质量也更好，但目前还没有得到广1泛的应用。

   自扫描光电二极管阵列( SSPD)又称为MOS型图像探测器，它的自扫描电路由MOS移位寄存器构成。根据像元的排列形状不同，它又分为线阵列和面阵列两种。线阵列如不另加扫描机构，则只能对移位的光强分布进行光电转换。但由于它的成本低，且许多被测对象本身在运动中，自然形成另一维扫描，故在机器视觉检测方面用量很大。面阵列可以直接对二雏图像进行光电转换。