除了颗粒和污点的物理污染以外，氧化膜应该将可移动离子污染量减到最小。这些叮BCM4401KQLG以用复杂的电容一电压( C/V)技术来检测，这种技术检测氧化层中可移动离子的总数，但它不能确定这些污染的来源，这螳污染也许来自炉管、气体、晶圆或清洗工艺。因此，C/V分析仅是一个晶圆合格／不合格的指标，是对整个炉管操作的检验。

   在大多数制造生产线上，C/V分析也用来确认炉管及相关部件的洁净度。一个低的可移动离子污染的氧化膜意味着整个系统是洁净的。当氧化膜不能通过这一测验规定的标准时j需要进一步调查来确定其污染来源，，

   第二个与氧化膜清洁有关的参数是介电强度。这一参数通过对氧化层的破坏性测试来测量氧化层的介电特性（非导电）．，

   第三个洁净度因素是氧化层的折射率。折射是光线通过透明物质时产生的弯曲现象∥一种物体的底部在水中的实际位置与其外观L_看到的位置不同就是一个典型的例子。纯氧化膜的折射率是1. 46。这一数值的变化反映了氧化层不纯的程度。折射率常数是许多应用干涉原理测量厚度技术的基础。参数的变化会导致错的测量结果。折射率用干涉祁椭圆偏光法技术来测量（见第14章）。

   不同氧化工艺的组成可以安排成一个组合形式( cluster arrangement)（见第15章）。