非常薄的MOS栅极氧化生长是高压氧化工艺的候选。薄氧化层必须要结构完整（没有孔等）。 BCM1101BOKPB足够强的电介质可以防止在栅区的电荷积累。在高压氧化中生成的栅极比在常压时生成的栅极绝缘性强24、．高压氧化1：艺也呵以解决在局部氧化中( LOCOS)产生的“鸟嘴”问题，见16.4.1节里的局部氧化隔离丁艺。图7.26解释了在MOS器件中不希望出现的“鸟嘴”长入了有源区。、高压氧化可以将“鸟嘴”侵蚀进器件的区域减到最小，并在LOCOS工艺中使场氧化层最薄25，、

   另外对于氧化来讲，高压系统也可以应用于CVD外延沉积和晶圆表面的回流玻璃层这些领域中26；，这两种工艺如果在低温下形成，会得到很好的质量。

   鸟嘴的生长。(a)无预刻蚀；(b)looo A预刻蚀；(C)2000 A预刻蚀（源白Ghandhi，VLSI Fabrir:ation, Prin,ciple．s）

   被用做氧化剂时，它由厂房设施供应或由靠近气体柜的压缩氧气罐供应。气体必须是干燥的，不能有水分。，氧气中的水分可以加快氧化速度，使得氧化层厚度超出规定范围（例如，out-of-spec】。干氧适合于MOS器件中非常薄的栅极氧化层（约为iooo A）。

   水汽氧化：给炉管供应水蒸气有好几种方法。方法的选择取决于厚度的要求和器件对氧化层洁净度的要求。，

   气泡发生器：历史上，炉管中所需的水蒸气由气泡发生器产生。它是具有加热器和保持去离子水( DI)被加热到接近沸点(98℃~99℃)的容器，这样在面的空间产生水蒸气。携带气体带着水气进入加热的炉管，在那里它变成水蒸气。（氧化气泡发生器与在第1 1章描述的液态掺杂剂气泡发生器结构相同。）

   气泡发生器的主要缺点是当控制水蒸气进入炉管时，会使液面变化并引起水温的波动。气泡发生器中由于脏水和脱落物导致污染炉管和氧化层的问题，永远是个问题。这个问题由于定期打开系统补充水而变得更加严重。