离子注入工艺由于其与生俱来的，对于掺杂的控制而取代_『热扩散上艺。，可是离子注入BA5152F工艺要求一个称为退火( annealing)的加热操作来把离子注入产生的品格损伤消除。传统}i，退火工艺由管式反应炉来完成。尽管退火工艺可以消除晶格损伤，但它同时也引起掺杂原子晶圆内部分散开，这是不希望发生的。这个问题促使人们去研究是否还有其他的能量源来达到同样的退火效果而不使掺杂物扩散开。这一研究导致了快速热处理( RTP)的开发。，

   RTP工艺基于热辐射原理。晶圆被自动放入一个有进气口和出气¨的反应室中。在内部，加热源在晶圆的上面或下面，使晶圆被快速加热。热源包括石墨加热器、微波、等离子体和碘钨灯17j。碘钨灯是最常见的。热辐射耦合进入晶圆表面并以每秒50℃~ 100cc的速率达到800C—1050℃工艺温度j1 9。在传统的反应炉里，需要几分钟才能达到同样的温度。

   同样地，在几秒之内就可以冷却下来对于辐射加热，由于加热时间裉短，晶圆本体并未升温。对于离子注入的退火工艺，这意

味着，晶格损伤被修复了，而注入的原子还呆在原位置。

   RTP的应用减少了工艺所需的热预算(thermal budget)。每次在扩散温度附近加热，使晶圆中的掺杂区向下或向旁边扩散（见第1 1章），，每次晶圆的加热或冷却都会产生更多晶格位错（见第3章）。因此，减少加热的总时间可以使设计的密度增加，减少由位错引起的失效。

   另一个优点是单片工艺。随着晶圆的直径越来越大，对均匀度的要求使得许多工艺最好采用单片工艺的设备.