•    光电检测器利用材料的光电效应制成，光辐射下，电子逸出材料表面产生光电子发射称为外光电效应，MC14053BDR2G或者称为光电子发射效应。电子并不逸出材料表面的为内光电效应，包括光电导效应、光生伏特效应及光磁电效应。

   光电子发射效应

   根据光的量子理论，频率为Ⅳ的光照到材料表面时，进入固体的光能总是以整个光子的能量hxv起作用。固体中的电子吸收了能量后将增加动能。其中向表面运动的电子，如果吸收的光能满足途中由于与品格或其他电子碰撞而损失的能量外，尚有一定能量足以克服材料表面的势垒（或叫逸出功），那么这些电子可以穿出材料表面，这些逸出表面的电子又称光电子。这种现象叫光电子发射或外光电效应。

   逸出表面的光电子最大可能的动能由爱因斯坦方程描述：

   Ek =hxv-m

   式中，Ek是光电子的动能，Ek = 1my2，其中m是光电子质量；∥是光电子离开材料表面的速度；∞是光电子发射材料的逸出功，表示产生一个光电子必须克服材料表面对其束缚的能量。

   光电子的动能与照射光的强度无关，仅随入射光的频率增加而增加。

    光电导效应

   若光照射到某些半导体材料上时，透射到材料内部的光子能量足够大，某些电子吸收光子的能星，从原来的束缚态变成导电的自由态，这时在外电场的作用下，流过半导体的电流会增大，即半导体的电导增大，这种现象叫光电导效应。它是一种内光电效应。光电导效应可分为本征型和杂质型两类。