我国中频电源就其技术现状可以概括为以下几点。

    (l)以晶间管为主功率器件的INA118U中频电源已覆盖了工作频率为8kHz以下的所有领域,其单机功率容量分50kW、160kW、50kW、500kW、1000kW、⒛00kW、笏0OkW、3000kW几种,工作频率有400Hz、1kHz、2.5kHz、4kHz、8kHz几种。

   (2)中频电源中三相全控整流桥的触发器采用集脉冲形成、保护、功率放大、脉冲整形于一体的单一大板结构(内含逆变桥的脉冲产生与功放和调节器)。

   (3)中频电源中三相整流桥的晶闸管触发器已从采用同步变压器,需现场调试校正相序的控制模式向不用同步变压器的具有相位自适应功能的触发器过渡。

   (4)晶闸管中频电源的启动方式已从撞击式启动、零压启动、内外桥转换启动过渡到扫频启动,其控制技术已从电压或电流闭环调节进步到恒功率控制,从而使中频电源的控制效果更好,提高了中频电源的使用效率。

   (5)中频电源用快速晶闸管的单管容量已达9~sO0A/2500Ⅴ,其最短关断时间已达15u,与中频电源配套的无感电阻高频电容等制造技术得到了长足的进步,为晶间管中频电源的设计、制造提供了极大的方便。

   (6)晶闸管中频电源的零部件及配套件,如散热器、熔断器、电抗器、控制板,已标准化、系列化、批量生产化,给晶闸管中频电源的制造商及维护人员带来了极大的方便。

   (7)MOsFET和IGBT等全控型功率半导体器件的容量已日益扩大,与⒑BT及MOS-FET配套的驱动器和保护电路已系列化和标准化,给中频和超音频中频电源的设计、制造奠定了技术基础。以IGBT和MOSFET为主功率器件的中频电源,其单机容量在⒛0kW以内,置作频率范围基本上都为⒛~⒛0kHz,超过⒛kHz的中频电源基本上都是采用M0⒊ET。但目前MOSFET的额定参数限制了中频电源功率的提升,虽然可采用直接将MOsFET并联,或将MOSFET构成逆变桥,再多个逆变桥并联的方案,但却使主电路和控制电路复杂,可靠性下降。为此采用ICBT和MOSFET为主功率器件的中频电源,仍是需要进一步研发的课题。