半导体二极管是由PN结加上引线和管壳构成的。它的类型很多。按制造GM-TPDT-6D-T材料分为硅二极管和锗二极管。按二极管的结构来分有点接触型二极管和面接触型二极管。二极管在电路中的符号为丬寺,用ⅤD来表示,其电流方向沿箭头方向流动,施加正向电压导通,反向电压不导通,具有单导电性。晶体二极管的基本特性参数有:

   (1)正向特性。加在二极管两端的正向电压(P为正、N为负)很小时(锗管小于0.1Ⅴ,硅管小于0.5Ⅴ),二极管不导通处于“死区”状态;当正向电压超过一定数值后,二极管才导通,电压再稍微增大,电流急剧增加:不同材料的二极管,起始电压不同,硅管为0.5~0.7Ⅴ, 镆弼旨为0.1~0.3Ⅴ。

   (2)反向特性。二极管两端加上反向电压时,反向电流很小,当反向电压逐渐增加时,反向电流基本保持不变,这时的电流称为反向饱和电流c不同材料的二极管,反向电流大小不同,硅管为1uA到几十微安,锗管则可高达数百微安。另外,反向电流受温度变化的影响很大,锗管的稳定性比硅管差.

   击穿特性。当反向电压增加到某一数值时,反向电流急剧增大,这种现象称为反向击穿。这时的反向电压称为反向击穿电压,不同结构、丁艺和材料制成的二极管,其反向击穿电压值差异很大,可由1Ⅴ到几百伏,甚至高达数千伏。

   频率特性。由于结电容的存在,当频率高到某一程度时,容抗小到使PN结短路,导致二极管失去单向导电性,不能工作,PN结面积越大,结电容越大,越不适用于高频电路。