TLP250驱动IGBT时的实验电流波形
发布时间:2016/11/26 19:00:18 访问次数:1784
图⒋17 用于额定值1200V/50A以下⒑BT的驱动 图⒋18 用于额定值12tXlⅤ/50A以L IGBT的驱动在图⒋18中,TR1和′rI⒓的选取与用于⒑BT驱动的栅极电阻有直接的关系。 REF02EZ例如,当电源电压为叨Ⅴ时,TR1和△⒓的几max≥⒛/RgC 图⒋19给出了TL”50驱动1200Ⅴ/200A的IGBT时的实验电流波形(50〃I0u)。可以看出,由于TL”50不具备过流保护功能,所以当⒑BT过流时,通过控制信号关断IGBT,⒑-BT中电流的下降会很陡,且有一个反向的冲 0击。这将会产生很大的dj/dr和开关损耗,而且对控制电路的过流保护功能要求很高。
图⒋17 用于额定值1200V/50A以下⒑BT的驱动 图⒋18 用于额定值12tXlⅤ/50A以L IGBT的驱动在图⒋18中,TR1和′rI⒓的选取与用于⒑BT驱动的栅极电阻有直接的关系。 REF02EZ例如,当电源电压为叨Ⅴ时,TR1和△⒓的几max≥⒛/RgC 图⒋19给出了TL”50驱动1200Ⅴ/200A的IGBT时的实验电流波形(50〃I0u)。可以看出,由于TL”50不具备过流保护功能,所以当⒑BT过流时,通过控制信号关断IGBT,⒑-BT中电流的下降会很陡,且有一个反向的冲 0击。这将会产生很大的dj/dr和开关损耗,而且对控制电路的过流保护功能要求很高。
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