PIC的一种典型代表产品为IR公司的I”110、IR2130系列功率MOs栅驱动⒗。IR2110、I肥130在500Ⅴ或ω0Ⅴ电压下I作,最大峰值电流为2A, PC357B工作频率为500kHz,可承受大于±50Ⅴ/ns的高dⅡ/dJ。新推出的IR2233、IR2235的工作电压可高达12OOⅤ,输出驱动电流0.4A。同时,IR公司最近还推出了命名为ICRICT113,用于太空应用的一种高压抗辐射加固的功率MOS驱动,其工作电压为硐0Ⅴ,可承受100kRAD的辐射剂量而不会出现性能下降的情况。sPIC总的技术发展趋势是工作频率更高、功率更大、功耗更低和功能更全。目前,sPIC的主要研究内容为

   (1)开发高成品率、低成本I艺且兼容于CMOS的研究;

   (2)针对包括多个大功率器件的单片sPIC的研究;

   (3)能在高温下△作并具有较好坚固性的SPIC的研究:

   (4)大电流高速MOS控制并有自保护功能的横向功率器件的研究。叩IC的下一个目标是将多个高压、大电流功率器件与低压电路集成在同一芯片上,使之具各系统功能,进而实现单片式功率系统的集成。最近,陈星弼院士提出了一种与CMOS工艺完全兼容的新的横向耐压结构,这种全兼容的新功率器件为第二次电子革命的真正到来奠定了基础。