对于晶体三极管来说,当基极有输入电流J:时,在集电极就可得到电流Jc,r:和Jc的比值称为三极管的值。类似的,对于二极管、三极管型光电耦合器来说, H5PS5162FFR-S5C当光敏二极管通以正向电流△时,光敏三极管可输出电流Jc,Jc和fF的比值就是光电耦合器的卩值。从表面上看,晶体管的卩值和光电耦合器的卩值似乎具有同样的意义,都是输人和输出电流之比。但是,它们有着本质上的差别。

   在晶体三极管中,基极电流r:是基区的空穴和很小一部分发射极电流rE复合而形成的,JE的大部分形成Jc。因此,`c比J:大得多,三极管的卩值`总是大于1。然而在光电耦合器中,光敏三极管基区的空穴是由于光激发而形成的。一般来说,光激发效率都比较低,即JF一般都大于rc。因此,在光敏三极管中不加复合放大时,光电耦合器的卩值总是小于1。为此,把二极管的卩值称作电流放大倍数,而把光电耦合器的卩值称为电流传输比(以百分数表示),以资区别。在无专用仪器的情况下,分别测量fc和JF,以求光电耦合器的电流传输比卩。应用晶体管特性图示仪可以方便地测量光电耦合器的电流传输比卩;把光电二极管的负极E1和光敏三极管的发射极E2接到图示仪的“E”端,光敏二极管的正极F接到图示仪的“B”端,就可按照测量NPN小功率晶体管的测试步骤来测量。不过由于光电耦合器的卩值小于1,“f:”的挡位放在比测量小功率晶体管卩值时大得多的位置上。产品手册上提供的光电耦合器的电流传输比卩是典型值,实际上卩值是随JF大小有所变化的,在设计电路时,应按实际使用的fF测得卩,作为计算依据。