光电耦合器的电参数可分为发光器参数、受光器 H5PS1G83JFR-Y5C参数、耦合参数和总体参数等几类。

   1)发光器参数

   发光器参数如下:

   (l)光敏二极管正向压降h。

   (2)光敏二极管正向电流∫F。

   (3)光敏二极管反向电压的极限值△。

   2)受光器参数

   对于光敏二极管、=极管(含达林顿型)受光器而言,其特性参数为:

   (1)输出晶体管饱和压降‰E。

   (2)基极开路时集一发间击穿电压△E。。

   (3)电流放大系数九IE。

   (4)上升和下降时间rl、rr或开关时间莎。n、莎。fl

   对于光敏可控硅型受光器,则有如下参数:

   (1)断态输出端电压极限值‰m。

   (2)电压上升率dJ/d莎。

   (3)不重复峰值浪涌电流Jl"u。

   3)耦合参数

   对晶体管输出的光电耦合器的耦合特性参数有:

  (1)电流传输比CTR,指的是fc/J「的百分比,

   CTR并非固定不变,它随JF和光敏二

  极管的基极电阻值及环境温度而变化。

   (2)发光器与受光器之间绝缘电压。

   对于光敏可控硅输出的光电耦合器的耦合特性参数有:

   (1)LED触发电流rR。

  (2)可控硅维持电流fh。