光刻I序从基板投片开始,经过清洗、涂胶、烘干、曝光、显影、蚀刻、脱膜等E2452NL工艺手段,在基板上形成Cr等金属辅助电极图案、ITO图案、绝缘层(hsulator)图案、阴极隔离柱(scpCratOr)图案等四部分图案成形组成,具体如下:

   第一次光刻:⒍图案的成型

   以上工序中的涂胶、软烘、对准曝光、显影、硬烘一般需要在狰房洁净度100级,温度23±3℃,湿度50±10%RII的黄光区中进行;预/主清洗、C〃ITo蚀刻在净房洁净度1000级,温度23±3℃,湿度50±10%RII的白光区进行。上述是oLED显示基板工序,用于oLED照明的基板工序可以简化些,主要是对ITo层进行处理形成电极图案。