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缓冲层材料

发布时间:2016/11/16 20:35:20 访问次数:588

   在oLED中空穴的传输速率约为电子传输速率的两倍,为了防止空穴传输到有机/金属阴极界面引起光的猝灭,E2003QNL在制备器件时需引入缓冲层CuPc。CuPc作为缓冲层,不仅可以降低ITo/有机层之间的界面势垒,而且还可以增加ITo/有机界面的粘合程度,增大空穴注入接触,抑制空穴向HTL层的注入,使电子和空穴的注入得以平衡。

   发光层材料

   发光材料是OLED器件中最重要的材料。一般发光材料应该具备发光效率高、最好具有电子或空穴传输性能或者两者兼有、真空蒸镀后可以制成稳定而均匀的薄膜、它们的最高被占用分子轨道(HOMo)和最低未占用分子轨道(LUMo) 能量应该与相应的电极相匹配等特性。发光材料应满足下列条件:①高量子效率的荧光特性,荧光光谱主要分布4O0~700nm可见光区域;②良好的半导体特性即具有高的导电率,能传导电子或空穴或两者兼有;③好的成膜性,在几十纳米的薄层中不产生针孔;④良好的热稳定性。

   在oLED中空穴的传输速率约为电子传输速率的两倍,为了防止空穴传输到有机/金属阴极界面引起光的猝灭,E2003QNL在制备器件时需引入缓冲层CuPc。CuPc作为缓冲层,不仅可以降低ITo/有机层之间的界面势垒,而且还可以增加ITo/有机界面的粘合程度,增大空穴注入接触,抑制空穴向HTL层的注入,使电子和空穴的注入得以平衡。

   发光层材料

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