常用测量方法主要有热电偶法、电学参数法、红外热成像法三类。热电偶KHU1S041Q4LF法是用单个热电偶逐点或用多路热电偶同时采集单点或多点温度的方法。虽然热电偶的测温结点尺寸较小,便于将其固定在需要测温的位置,但由于测温点数量有限,仅能获得散热体表面的局部点位的温度,表现出的温度分布的状态信息不够全面。电学参数法是一种应用较为广泛的测量LED芯片结温的方法,该方法测得的温度值是由结电压对应推算出芯片处的平均温度,一般用来判断不同排布位置的芯片结温,但无法测量其他结构的温度分布性。红外热成像法是利用红外探测器和光学成像物镜接收被测目标的红外辐射能量分布图形,并反映到红外探测器的光敏元件上,从而获得不同颜色代表不同温度的红外热成像图。热像图与物体表面的温度分布场相对应,具有非接触、无结构损伤、测量精度和自动化程度较高等特点,日益受到人们的重视,其应用领域也越来越广泛。但红外热成像法需要昂贵的测试仪器,且对于不同材质的结构表面以及相同材质的不同表面,发射率均会表现出较大的数值差距,因此要获得准确的温度分布值,还需要同时采用热电偶测量出同种表面上的局部温度,用来校准红外热成像测量仪器的发射率。