对于反激式AC/DC LED驱动电源而言,每当功RDA5807NP率MOSFET由导通变成截止时,在一次绕组上会产生尖峰电压和感应电压。其中的尖峰电压是由于高频变压器存在漏感形成的,它与直流高压I/和感应电压叠加在MOsFET的漏极上,很容易损坏MOsFET。因此,增加漏极钳位保护电路,对尖峰电压进行钳位或吸收十分重要。

   MOsFET漏极上各参数的电位分布

   下面分析输入直流电压的最大值I/Imax、一次绕组的感应电压珑小钳位电压%与I/:lr、最大漏极电压已‰1ax、漏一源击穿电压吼㈣D.s这6个电压参数的电位分布。对于ToPs诵tch―XX系列单片开关电源,其功率开关管的漏一源击穿电压∝贺lDs≥700V,现取下限值700V。感应电压已l衄=135V(典型值)。本来钳位二极管的钳位电压%只需取135V,即可将叠加在ζα上由漏感造成的尖峰电压吸收掉,实际却不然。手册中给出的%参数值仅表示工作在常温、小电流情况下的数值。实际上钳位二极管(即瞬态电压抑制器TVs)还具有正向温度系数,它在高温、大电流条件下的钳位电压已‰彳要远高于%。