薄膜倒装芯片(TFFC,Thin Fi1m FⅡ Chip)结合了垂直薄膜和倒装芯片的结构特点,首先利用激光剥离技术去除蓝宝石衬底,然后将其倒装焊接在高热传导的衬底上,K4B2G1646E-BCK0 与垂直薄膜相似,薄膜倒装芯片在蓝宝石衬底剥离后,能够在裸露的n型GaN层出光表面用光刻技术做表面粗化以提高光提取效率。而倒装焊接的结构减少了金属引线键合工艺,缩短了有源层到出光面的距离,在减少封装体积的同时也增加了出光效率。因此,与传统的倒装芯片和垂直薄膜LED芯片相比较,TFFC具有更高的亮度和更大的光输出效率,其表面的向上光输出能达到约100%。

   薄膜倒装芯片技术可以实现最大化发光和最小化热阻,从而产生更高的亮度,更适用于高功率半导体照明领域。目前高功率TFFC蓝光LED(波长约为矽5nm)在3501uA驱动电流时的外量子效率高达约56%,在更低驱动电流时可达约Ω%。该蓝光LED在1A驱 光发射 动电流时能够实现超过1.3W功率的光学照明。TFFC绿光LED(波长约为520nm)在3501nA驱动电流时的外量子效率约为29%,在低电流MQW发光层 时外量子效率约为36%,由其制备的LED光源反光p极触片 实现的最高光效可达约1621猁η厂。在驱动电流反光p极   为1A时,TFFC绿光LED的光通量能够达到约4叨mW(约2221m),这是己知的绿光LED所能获得的最佳结果。