前烘:使光刻胶的溶剂挥发,用于改善光刻胶与样品表面的黏附性。前烘是光JANTX2N6849刻的一道关键工序,前烘条件的选择,对光刻胶溶剂的挥发量和光刻胶的黏附特性、曝光特性、显影特性等都有较大的影响。曝光:将掩膜板(光刻板)置于ITO透明电极上方,用紫外光进行曝光,曝光的区域发生化学变化。图5-20所示是掩膜板图形示意图,灰色图形区域为胶膜遮挡保护部分。

   显影:显影是用溶剂去除未曝光部分(负胶)或曝光部分(正胶)的光刻胶。在外延片表面形成所需的图形。在GaN基LED芯片制造中,用显影液除去应刻蚀掉部分的光刻胶(正胶),以获得腐蚀时由胶膜保护的图形(见图5-21自色图形区域)。 坚膜(后烘):显影时胶膜会发生软化、膨胀,坚膜的目的是去除显影后胶层内残留的溶剂,使胶膜更坚固,提高光刻胶的黏附力和抗腐蚀性。

  腐蚀:用36%~38%的盐酸腐蚀ITO透明电极层以获得相应的图形。