LED芯片的制造从MOCVD方法制备的外延片成品开始,属于半导体LED制造的中段工艺。JANTX2N6798外延片成品首先需要进行表面清洗处理,然后进入如下的流程。

   (1)IPo(Indium Tin Oxide)透明电极层生长。氧化铟锡是金属铟的氧化物(In2o3)和金属锡的氧化物(Sno2)的混合物,通常质量比为⒇%的In2⒐和10%的SnO2。其特性是具有很好的导电性和光学透明性,可以切断对人体有害的电子辐射、紫外线及远红外线。因此,喷涂在玻璃、塑料及电子显示屏⊥后,在增强导电性和透明性的同时切断对人体有害的电子辐射及紫外线、红外线。氧化铟锡薄膜一般采用电子束蒸发、物理气相沉积或一些溅射沉积技术的方法沉积到表面。

   (2)图形光刻ITo透明电极层,光刻过程一般在黄光区进行,所以也称为黄光作业,主要包括:甩胶、前烘、曝光、显影、坚膜和腐蚀。甩胶:将少量光刻胶滴在外延片上(p-GaN层表面),用匀胶台在高速旋转后形成均匀的胶膜。光刻胶的技术复杂,按照其化学反应机和显影原理,可分为负性胶和正性胶两类。光照后形成不可溶物质的为负性胶;反之,对某些溶剂是不可溶的,经过光照后变成可溶物质的是正性胶。