目前商业化的GaN基外延片采用的是两步生长工艺。外延片生长工艺复杂,一个简JANTX1N755AUR-1单的GaN蓝光LED量子阱结构的生长工艺包括高温烘烤、缓冲层生长、重结晶、n型GaN层生长、量子阱发光层生长及p型GaN层生长。详细工艺流程如下:

   (1)高温烘烤,蓝宝石衬底首先在氢气气氛中被加热至1050℃,目的是清洁衬底表面;

   (2)衬底温度降至510℃,在蓝宝石衬底表面沉积30nm厚度的低温GaN/AlN缓冲层;

   (3)升温至10⒛℃,通入反应气氨气、三甲基镓和硅烷,各自控制相应的流速,生长4um厚度的硅掺杂n型GaN;

   (4)通入三甲基铝和三甲基镓反应气,制备厚度为0.15um的硅掺杂n型A⒑洲;

   (5)温度降至8O0℃,通入三甲基镓、三甲基铟、二乙基锌和氨气并各自控制不同的流速制备50nm的zn掺杂InGaN;

   (6)温度升高至1020℃,通入三甲基铝、三甲基镓和双(环戊二烯基)镁,制备0.15um厚度的Mg掺杂p型AlGaN和0.5um厚度的Mg掺杂p型G瘀;

   (7)700℃氮气气氛中退火处理获得高质量p型GaN夕卜延薄膜;

   (8)在p型G瘀表面进行刻蚀露出n型G瘀表面;

   (9)分别在p-GaNI表面蒸镀Ni/Au触片,ll-GaN表面蒸镀△/Al触片形成电极。