以GaAs外延薄膜生长为例,As的来源通常有两种方式:①采用固体砷升华产生四聚化物A跏分子;②采用两温区源炉,H9TQ18ABJTMCUR-KTM在高温段使得A跏裂解为二聚物A劝分子;或者是以GaAs为源材料在高温下分解产生A助分子。在二聚物分子(As2)被喷射到GaAs衬底表面时,A劫首先被衬底表面物理吸附,形成一种可迁移的弱键合前驱体状态。A助分子在表面迁移时,只有遇到一对Ga原子时,A”分子才会分解成两个As原子,并分别与两个Ga原子结合成GaAs分子,形成固态晶格。当衬底表面没有或缺少Ga原了时,前驱体A助分子不会分解,它们可能在表面滞留一段时间(寿命<1Cl5s)后脱附离开衬底表面,也可能两个A助分子结合形成As4分子后从表面脱附。

   MBE技术也同样用于GaN外延薄膜的生长。镓、铝或铟分子束通过在真空中加热和蒸发其相应的金属而形成,而氮分子束则有不同的形成方式。直接采用氨气为氮源的分子束被称为气源分子束外延,采用氮气等离子体作为氮源的有射频等离子体辅助分子束外延和电子回旋共振等离子辅助分子束外延。MBE系统中常采用四极质谱仪来检测本底的气氛组成,用离子枪进行衬底表面的清洁。并能够采用多种测试技术(如反射高能电子衍射-RHEED等)对外延生长过程进行原位检测。