可见光GaA妒发光二极管最早于19塑年由美国通用电气公司开发并实际应用,是可见光LED研究的开端。 A1225APL84C磷砷化镓(GaAsh△)是由GaAs和GaP组成的合金半导体材料。

   随着豸值的变化,GaAP材料具有不同的组成。因此GaAshPx可以作为红色(豸=0.4,655nm),黄色(艿=0.85,590nm)及橙色(豸=0,75,610nm)发光二极管,如图5-4所示。红色LED通常以GaAs为衬底形成GaAs/GaAsP异质结构,而黄色和橙色LED则以GaP为

衬底。由于GaAshPt发光材料的晶格常数与衬底材料晶格常数相差非常大,无法直接在GaAs或GaP衬底上生长,因此常常在衬底上先生长一层组分渐变层,逐渐将组成调整至所需比例后再生长一层组分固定层。在黄色和橙色发光二极管中,为了调整GaAshPx材料的电子性质,通常需要掺杂N,形成GaAsl丬△:N固定层。

   当0q(o.翎时,GaAs1~Pt发光材料为直接带隙结构,因此具有较高的发光效率,如红光LED(x=0,4)。当豸)0.49时,GaAs1~△材料从直接带隙结构变为间接带隙结构,发光效率大为降低,如黄光(豸=0.85)和橙光(豸=0.75)。氮的掺杂可以提高GaAsP黄光和橙光

LED的发光效率。GaAsP与衬底晶格失配导致外延层存在大量失配位错,与GaAs衬底失配率为1.5%,与GaP衬底失配率为0.6%,最终使得外延层结晶程度变低,发光效率下降。但GaAsP发光二极管工艺简单,制造成本低,且其颜色涵盖红橙黄三色,冈此还广泛地应用于家电、汽车仪表等室内显示设备。