自光LED光源器件根据制作过程可分为前段材料生长,中段芯片制备和后段器件封装,如图5-2所示。A1104EUA-T前段过程包括衬底和外延片的生产与制造,这是整个LED产业链的制高点,也是实现白光LED照明的起点。外延生长是指在单晶衬底上生长与衬底材料具有相同或相近结晶学取向的薄层单晶的过程。衬底是支撑外延薄膜的基底,GaAs基LED和AlGaInP基LED大都采用G扒s基底,而白光LED应用中的GaN基LED则主要利用蓝宝石、碳化硅和单晶硅等异质衬底。芯片的设计和制造包括了蒸镀、光刻、研磨切割等过程, 其工艺的发展直接决定了白光LED的性能。在芯片的△艺中,主要包括常规芯片(Cc,nⅤclltional Chip,CC),倒装芯片(Flip Chip,FC),垂直薄膜(Vc⒒ical Thin∏lm,VTF)和薄膜倒装芯片(Thin FⅡm FⅡChip,TFFC)。而器件与模块封装则是实现LED从芯片走向最终产品所必需的中间环节,也是LED芯片与荧光材料相匹配实现白光发射的关键步骤。在封装过程中,荧光粉作为关键材料之一,直接影响白光LED的光效、显色指数、光谱能量分布等,通过调整荧光材料的种类和用量,可以获得不同色温的白光。