然而,相对于InGaN-G瘀蓝光LED和AlGaInP红光LED分别

高达80%和ω%的电光转换效率,绿光LED的电光效率仅为30%,这极大地制约了这一技术在半导体照明中的应用。A1020B1PL44CM荧光粉转换白光发光LED由于具有成本低,电路设计和控制 简便等特点,是目前半导体照明产业中最广泛采用的实现白光发射的技术。因此,荧光粉是自光LED器件中最为关键的原材料之一,其发光性能直接影响LED器件的发光强度,显色指数,色温和寿命等性能指标。

   自光LED光源器件根据制作过程可分为前段材料生长,中段芯片制备和后段器件封装,如图5-2所示。前段过程包括衬底和外延片的生产与制造,这是整个LED产业链的制高点,也是实现白光LED照明的起点。外延生长是指在单晶衬底上生长与衬底材料具有相同或相近结晶学取向的薄层单晶的过程。衬底是支撑外延薄膜的基底,GaAs基LED和AlGaInP基LED大都采用G扒s基底,而白光LED应用中的GaN基LED则主要利用蓝宝石、碳化硅和单晶硅等异质衬底。