一种量子阱LED的结构如图⒋8所示,在图形化的n型蓝宝石衬底上低温外延生长n型GaN过渡层,M5230L该层的作用是为其上生长的半导体材料提供低缺陷的高质量晶体结构;再在其上生长量子阱诸层。量子阱由势阱和势垒共同组成,如图4J所示。仅称生长一对势阱和势垒的为单量子阱(sing⒗Quantum wcll,sQW),生长多对且势垒厚度远大于势阱厚度的为多量子阱(Multi―Quantum ure11,MQW);若势垒厚度与势阱厚度相似,则称之为超晶格结构;再在QW层上生长顶层,其作用与DH结构相同,金属电极的结构与前述LED一致。发光区域集中在QW层区。

   图⒋8 常用的蓝绿光多量子阱LED的结构示意图

   量子阱结构LED是在DH结构基础之上、得益于诸如MOCVD(金属有机化合物化学气相淀积)及MBE(分子束外延)等精密外延技术的进步而发展起来的新型发光器件。sQW结构与DH结构相同,仅当p型层的厚度小于德布洛意(De Broglic)波长扬(杨勘/p,此处的`为电子的动量,通常扬约为几十纳米量级)时,导带与价带的能带不再连续,分别分裂成一系列的分离能级,如图⒋10所示。过剩电子将主要分布在导带E1c能级,过剩空穴主要分布在价带重空穴能级￡l⒒和轻空穴能级￡1h。势阱中的电子与空穴碰撞发生辐射复合而发光。