1.分别画出面心立方晶格和体心立方晶格(100),(110),(111)晶面上原子排列示意图。

   2,什么是直接带隙?什么是间接带隙半导体?并说明M25P64-VME6TG为什么发光器件一般不用si材料制作。

   3,室温条件,GaAs突变pn结的受主和施主杂质浓度分别为蝇=8×1017cmˉ3不口凡=5×1016呷尸,假设杂质完全电离,求解pn结在平衡态下的内建电场、势垒高度和耗尽层宽度。(室温下,GaAs禁带宽度几=1,绲Cv,本征载流子浓度刀i=2。l×106cmˉ3)

   4,计算h02Ga0:N/GaN异质结构在c面的晶格失配大小和悬键密度。

   5对于In02Ga0:N/GaN双异质结构,势阱中电子浓度为5×101:cm3。室温下,不考虑GaN材料的极化效应,计算此结构通过电流时,电子越过势垒泄漏的比例。(己知:%(IllxGahN”几(hN》(1ˉ)几(GaN)细b=l.43;室温下,GaN和InN的禁带宽度分别为3钆V和0。刀cV,In02Ga0:N/G瘀的导带不连续M‘=065明g)

    参者资料

   [1] 赵品,谢辅洲,孙振国,材料科学基础教程(第3版),哈尔滨:哈尔滨工业大学出版社,2009

   [2] 孟庆巨,胡云峰,敬守勇 半导体物理学简明教程,北京:电子工业出版社,⒛14.

   l3] 马品生,施倪承X射线晶体学一一晶体结构分析基本理论及实验技术武汉:中国地质大学出版社,