同质结中载流子复合发射光子的能量等于此半导体材料的禁带宽度,所以复M25P16-VMN6TP合产生的光子经过p和n型区很大程度又被吸收。而双异质结构中N和P型势垒层禁带宽度大于发光层发射光子的能量,对光子是透明的,再吸收只存在于薄的发光区,所以双异质结构中光的再吸收大大减小。

   相对同质结,异质结用于发光器件是个巨大的进步。但是也要指出,异质结用于发光器件对材料体系有严格的限制,即异质结材料必须具有良好的晶格匹配。如果异质结中晶格失配较大,从界面产生较高密度的缺陷,导致非辐射复合增强,器件的发光性能变差。在元素半导体和二元化合物半导体中很难找到晶格匹配的异质结材料,半导体的三元和多元固溶体材料的晶格常数和组分关系一般符合Vcgard定律,即线性关系。因此,采用节固溶体组分的方法,可以设汁出晶格匹配的灵活多变的异质构。另外,超薄外延层生长技术和应变缓冲层技术打破了严格的晶格匹配要求,如量子阱这种特殊的异质结构己广泛应用于半导体光电子和微电子器件。