型异质结,窄带材料的禁带完全落在宽带材料的禁带中,删c和Azrv的符号相反。AD9861BCP-50不论对电子还是空穴,窄带材料都是势阱,宽带材料都是势垒,即电子和空穴被约束在同一材料中。载流子复合发生在窄带材料一侧。常见的异质结发光材料,如GaAlAs/GaAs、InGaAsⅣInP和InGaN/GaN都属于这一种。

   型异质结,Mc和炖`的符号相同分两种。

   Type  类异质结,窄带材料的导带和价带都比宽带材料的低,禁带是错开的。窄带材料是电子的势阱,宽带材料是空穴的势阱,电子和空穴分别约束在两种材料中。”pCⅡ A类异质结具有间接带隙的特点,跃迁概率小,如GaAs/AlAs异质结。Typc Ⅱ B类异质结,禁带错开更大,窄带材料的导带底和价带顶都位于宽带材料的价带中,所以在导带和价带中同时存在电子和空穴,表现出半金属材料的性质,如InAs/Gasb异质结。

   TypcⅢ型异质结,窄带材料具有近似为零的带隙。典型的例子是HgTc/CdTe异质结。

   Typc I型异质结构对载流子复合发光有利,是半导体发光材料和器件的基本结构。不同半导体的禁带宽度可根据设计要求做适当调整,如改变多元固中某元素的组分。有 多种方法可用于形成突变异质结界面,例如分子束外延(MBE)和金属有机化学气相沉积(MOCVD)等外延生长方法。