上式表明在大注入情况下,非平衡载流子寿命随非平衡载流子浓度而改变。 AD9514BCPZ深能级缺陷辅助的复合又称为田m(shockl叩-Rcad-Hall)复合,它是非平衡载流子通过半导体中的缺陷能级,即复合中心发生非辐射复合的―种问接复合过程。如图3-27所示,如果在半导体材料中存在单一的复合中心能级Er,则导带的电子跃迁到价带的复合就可以通过马分成过程1和2两步完成,即第一步导带上的电子首先落到复合中心能级Er,可看作复合中心从导带俘获电子;第二步电子再落入价带并与空穴复合,可看作复合中心从价带俘获空穴。显然,过程1存在它的逆过程1′,即复合中心的电子被激发到导带;过程2也存在它的逆过程2′,即价带电子被激发到复合中心能级上。

    图3-27 sRH复合的四个过程,俘获电子;11发射电子;2,俘获空穴;21发射空穴)热平衡状态时,电子产生率等于俘获率,即过程1和1′互相抵消,同时空穴产生率等于俘获率,即过程2和2′互相抵消。而在非平衡状态载流子稳定复合时,单位时间和体积内导带上电子的减少数等于价带上空穴的减少数,即电子和空穴成对复合。由以上关系可得非平衡载流子通过复合中心的复合率。