处于平衡状态的半导体,在一定温度下,电子浓度,90和空穴浓度助一定,对于非简并情况, AD9512BCPZ-REEL7它们的乘积也是一定值:但在一些外界条件作用下,如用光子能量大于半导体禁带宽度的光照或pll结加正向偏 压或用高能粒子辐照等,半导体材料中一部分原处于价带的电子被激发到导带,价带比平衡时多出了一部分空穴匆,导带比平衡时多出一部分电子称为非平衡载流子浓度,也称为过剩载流子浓度。光照即光注入时由于电子空穴成对出现,但刀结加正向偏压即电注入时,非平衡电子和空穴浓度与掺杂浓度和扩散系数有关,一般AP不等于Δ″。

   当撤除光照等外界作用时,半导体由非平衡状态恢复到平衡状态,非平衡载流子逐渐消失,这个过程就是载流子的复合。

从载流子复合的微观过程上可以分成直接复合和间接复合两类,直接复合是电子在导带和价带之间直接跃迁,引起电子和空穴的直接复合;间接复合是电子通过禁带中的缺陷能级,即复合中心与空穴复合。非平衡载流子复合时伴随着能量的释放,一般有发射光子,

发射声子或传递能量给其他载流子。对于发光器件,一般按复合过程是否发射光子分为辐射复合和非辐射复合两类。辐射复合是电子和空穴直接复合发光的过程;非辐射复合主要有深能级缺陷辅助的复合、俄歇复合。

   另外,按载流子复合发生的位置,又可以分为体内复合和表面复合。辐射复合过程中,一对电子和空穴复合伴随一个能量等于半导体带隙的光子发射出来。单位体积内,每个电子在单位时间内都有一定概率和空穴相遇而复合,概率和空穴浓度成正比,复合率R可表系数r表示电子和空穴的复合概率,它是与温度有关的量,刀和`分别表示电子和空穴的浓度。对于非简并半导体,空穴浓度相对价带状态密度,以及电子浓度相对导带状态密度其比例极小,即可认为价带基本是满的,导带基本是空的,激发概率不载流子浓度刀和`的影响,则载流子产生率G仅与温度有关,与载流子浓度无关。热平衡状态的电子和空穴的浓度分别为P90和f,0,载流子产生和复合达到平衡,所以产生率必定等于复合率