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突变结空间电荷区中电场随位置线形变化

发布时间:2016/10/31 20:24:01 访问次数:3173

    由图3-24可见,突变结空间电荷区中电场随位置线形变化,电场方向从n区指向p区,电场强度最大。AD9235BRUZ-40电势分布呈抛物线形式,从p区到n区电势逐渐增加,而电子 从p区移动到n区电势能逐渐减小。由式(3,28)可见,突变结的空间电荷区宽度和杂质浓度及接触电势差有关。因掺杂杂质的浓度变化对‰影响比Xz,小,所以一般杂质浓度越高,空间电荷区宽度越小;对不同材料,杂质浓度一定,接触电势差越大,空间电荷区宽度越宽。

       

   单边突变结的空间电荷区宽度随轻掺杂一边的杂质浓度减小而增加,且空间电荷区主要在轻掺杂一边。


   处于平衡状态的pll结中,载流子的扩散电流和漂移电流相等,没有净电流通过pn结,费米能级处处相等,空间电荷区厚度和势垒高度一定。

   当pll结两端加上偏压时,pn结的状态平衡状态被打破,相对未加偏压时发生变化。

    在pn结两端加偏压/时,因为n和p区载流子浓度很大,而空间电荷区载流子浓度可忽略,所以pn结中电阻最大处为空间电荷区,则外加偏压基本都落在空间电荷区。空间电荷区总的电场为外加偏压形成的电场与内建电场的叠加。正向偏压砗在空间电荷区产生的电场方向与内建电场方向相反,原电场被减弱,则空间电荷区宽度减小,势垒高度从平衡状态的g‰下降到现在的∝‰-/+)°利用式(3.28),

把平衡态时空间电荷区电势差由‰改为‰-‰即可得到正偏时的空间电荷区宽度。反向偏压L将产生与内建电场相同的电场,因此pn结内的电场进一步增强,空间电荷区宽度加宽,同时势垒高度由g‰增加。

    由图3-24可见,突变结空间电荷区中电场随位置线形变化,电场方向从n区指向p区,电场强度最大。AD9235BRUZ-40电势分布呈抛物线形式,从p区到n区电势逐渐增加,而电子 从p区移动到n区电势能逐渐减小。由式(3,28)可见,突变结的空间电荷区宽度和杂质浓度及接触电势差有关。因掺杂杂质的浓度变化对‰影响比Xz,小,所以一般杂质浓度越高,空间电荷区宽度越小;对不同材料,杂质浓度一定,接触电势差越大,空间电荷区宽度越宽。

       

   单边突变结的空间电荷区宽度随轻掺杂一边的杂质浓度减小而增加,且空间电荷区主要在轻掺杂一边。


   处于平衡状态的pll结中,载流子的扩散电流和漂移电流相等,没有净电流通过pn结,费米能级处处相等,空间电荷区厚度和势垒高度一定。

   当pll结两端加上偏压时,pn结的状态平衡状态被打破,相对未加偏压时发生变化。

    在pn结两端加偏压/时,因为n和p区载流子浓度很大,而空间电荷区载流子浓度可忽略,所以pn结中电阻最大处为空间电荷区,则外加偏压基本都落在空间电荷区。空间电荷区总的电场为外加偏压形成的电场与内建电场的叠加。正向偏压砗在空间电荷区产生的电场方向与内建电场方向相反,原电场被减弱,则空间电荷区宽度减小,势垒高度从平衡状态的g‰下降到现在的∝‰-/+)°利用式(3.28),

把平衡态时空间电荷区电势差由‰改为‰-‰即可得到正偏时的空间电荷区宽度。反向偏压L将产生与内建电场相同的电场,因此pn结内的电场进一步增强,空间电荷区宽度加宽,同时势垒高度由g‰增加。

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