19年,斯坦福国际研究所的C,A.跏indt通过薄膜技术和微细加工方法,研制出阵列状的微尖结构(具有栅极的金属钼微尖――spilldt微尖);S101D02

   19年,Cr。哎等人提出利用s∮ndt阴极研制平板显示器件;

   19T4年,%omas等人首次报导利用硅基微电子工艺制备硅微尖;

   19T6年,S血th等人报导了具有pˉn结结构的带有栅极的硅微尖阵列;

   1978年,Hoeberech“报导了利用硅的腐蚀各向异性制备三极管型硅微尖阵列;

   19”年,Br。d忆报导Spindt阴极在真空度为103Pa下的寿命超过2万h;

  19gs年,M锣σ等人首次报导矩阵选址的单色FED;

   19“年,⒍ay等人首次报导可工作的硅基微真空三极管;

   19⒏年,∞indt等人首次报导高分辨率和三色FED;

   1988年,召开首次国际真空微电子会议;

   19⒆年,Makhow报导在低于10Ⅴ的电压下获得的场发射;

   199O年,Betsui报导从硅微尖获得sOItA/tip,spindt等人报导利用Spindt阴极获得1000A/c彳,Marcus等人报导亚纳米硅基微尖,法国政府实验室LETI对跏indt的方法做了某些改进并研制出第一个可工作的15cm单色FED显示器;

   19呢年,法国成立了Re姓公司,并先后有美国Texas Inst,Ravtheon和日本Futaba等公司加入,成为一家跨国公司;