实测sMT封装LED光源的发光面特性
发布时间:2016/8/12 21:24:38 访问次数:773
芯片本身具有尺度残,由于荧光粉层的散射作用,实际的发光面将扩展至尺度硪。同AFB0412SHB-SP04时由于支架反射面对大角度光的反射作用,使得光源的等效发光面更为复杂。图⒎14为实际的器件发光面发光强度的分布和出射光强的分布图。
图⒎14 实测sMT封装LED光源的发光面特性图
器件的芯片尺寸为1×1mm2,而实际LED光源由于荧光粉的散射,其形状和亮度分布也完全不同于一个简单的朗伯面光源,器件的发面积己经大大超过了芯片的范围,整个荧光粉区域都构成了整个光源的一部分,并且发光面的光强辐射强度也不均匀,中心最强而边缘光弱。
芯片本身具有尺度残,由于荧光粉层的散射作用,实际的发光面将扩展至尺度硪。同AFB0412SHB-SP04时由于支架反射面对大角度光的反射作用,使得光源的等效发光面更为复杂。图⒎14为实际的器件发光面发光强度的分布和出射光强的分布图。
图⒎14 实测sMT封装LED光源的发光面特性图
器件的芯片尺寸为1×1mm2,而实际LED光源由于荧光粉的散射,其形状和亮度分布也完全不同于一个简单的朗伯面光源,器件的发面积己经大大超过了芯片的范围,整个荧光粉区域都构成了整个光源的一部分,并且发光面的光强辐射强度也不均匀,中心最强而边缘光弱。
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