前面所述的改善电流扩展、提高注AC1501-50K5LA入效率和增加出光效率的方法都是为了提高LED的发光强度或光功率。对于高亮度和大功率A1GaInP LED产品,前面提到的技术大部分都己应有,结构多采用转移衬底正装或倒装结构,以台湾晶元光电网站公布的产品结构为例,图⒍7中电极图形为凤尾式和蜘蛛网式两种电极形状LED在低电流驱动下电流分布均匀的芯片图[131,二者都采用了ITo透明电极来进行电流扩展,凤尾式系列器件是垂直型带衬底反射镜结构,蜘蛛网式系列是横向透明衬底结构。实际上台湾晶元光电的高亮度产品多用横向结构,如图6-34便是其网站发布的高亮度产品电极俯视图和结构剖面图,两个均为横向结构,一个是AlN衬底、一个是蓝宝石衬底,不同的是P电极一个在台下一个在台上,这说明高亮度和大功率AlGaInP LED器件与G瘀蓝光白光器件类似,都采用了台面结构。

   大功率LED在电流扩展、光提取、散热方面要比高亮度器件面临更严峻挑战。shun￡heng Hstl等人报道了1mI`大功率A1GaInP薄膜LED,如图⒍35所示阝q。其oDR包括GaP,分散的Atl AuBc从u欧姆接触点,四分之一波长低介质的ITo和厚Ag反光镜,通过Au/In合金键合制得。先在GaP之上淀积Au/AuBe/Au,制作直径为28um微接触点,占总面积的5%,对背面反光镜的反射率影响较小。溅射淀积ITo(7跏m)、Ag(400nm)、△黏附层、Pt阻挡金属相互扩散层、Au键合层,之后与淀积了IⅣAu/Ti金属的si衬底在石墨夹具中210℃键合两个小时。键合后,去除GaAs衬底和InGaP腐蚀停层。直径为8um

的Au/AuGc/Au微接触点制作在n+~GaAs接触层上,和矿-GaAs构成的微欧姆接触点的面积占总面积4,6%。最后,淀积ITO电流扩展层,制作螺旋型的C〃Pt/Au压焊点。减薄si衬底至⒛0um,△Au作为背面电极。