n电极制备:去除GaInP腐蚀停层:盐酸:水=3∶1的盐酸溶液对GaInP/GaAs具有腐蚀选择比。BBR43-24KB533盐酸溶液去除GaInP后,GaAs欧姆层上淀积光刻N型电极。因GaAs对光有很高的吸收率,光刻电极之后应腐蚀去除GaAs层。

   表面粗化:在n~AlGaInP的电流扩展层上进行表面粗化处理,表面粗化的方式与第5章所述方法类似。

   p电极制备:减薄Si衬底,蒸镀P型背面电极,退火。

   后工艺:切割、分选、压焊、测试。

   实际上由于各公司的工艺不同、衬底不同等,并没有统一的工艺流程。Chicll-Fu Huan等人⑼报道了一种透明衬底转移AlGaInP LED的制备方法,如图⒍6所示。首先通过MOCVD生长外延结构,然后在p型区表面淀积P型电极BcAu,将芯片键合到临时衬底(如玻璃)上并剥离GaAs衬底,紧接着制备N型插指GcAu电极及n型粗化表面,将芯片键合到永久衬底(蓝宝石)上并剥离临时衬底,制备发射区的p型粗化表面,最后将N型电极连接到n型插指GcAu上。