PSS还与LED器件的老化性能有关。用大电B5P-SHF-1AA流加速老化的方式下,将Pss的LED样品与平面蓝宝石衬底的LED样品进行对比试验。测试显示,与平面衬底LED相比,PSs-LED具有更低的串联电阻和更高的出光功率,当用4⒛A・cmˉ2加速老化时,平面衬底LED立刻遭受电流拥挤,而Pss-LED可持续耐受100s。并且,Pss~LED的寿命是平面衬底LED的1,6倍。即Pss-LED具有更优越的可靠性。基于光电测试结果、加速老化数据,如图5-53中的p-GaN与ITO界面的俄歇电子能谱(Auger Elcctron Spec“oscopy,AEs)-深度曲线m]测量结果表明,平面衬底LEDp-GaN与ITo的界面Ga含量是Ps⒏LED相同界面Ga含量 的2倍,这意味着结温、载流子拥挤、p接触失效等皆是平面衬底LED加速老化后可能的退化机制。