金字塔状(pyrami止血apc)以及凹坑(rcccss)。金字塔状与凹坑结构形貌在制作上的唯一不同就是掩蔽层图形互反,前者掩蔽图形为圆柱,后者为圆孔。B4B-PH-K-S金字塔结构顶部和凹坑的底部因刻蚀时间的不同,可能会存在平台面。Ji-HaO Chcng等人卩q用湿法蚀刻制作了周期性的具有不同斜边角度的三角形金字塔阵列的PsS。在PSS侧边上除了正常的纤锌矿结构GaN,还有闪锌矿结构GaN。随着PsS倾斜角度由57,4°下降到31.6°,GaN的晶体质量变好。这是因为大多数G焖是始于c面开始生长的,随着生长时间的延长,c面GaN夕卜延膜通过横向生长覆盖金字塔使得线位错朝着金字塔转弯。

   YK,Su等人用传统光刻技术和纳米球光刻技术分别制得微米和纳米级Pss,在不同图形尺寸衬底上制得GaN基LED,研究了这几种LED的结构、电、光性能。发现用PSS能显著提高GaN夕卜延膜的晶体质量,能提高漏电性能,在不同尺寸Pss上的LED样品的/t・很类似,但纳米级PSs上的样品光强最高,表明PsS图形的尺寸大小与光提取能力有关。H.WHuang等人卩剑通过纳米压印技术制备纳米孔蓝宝石图形衬底GaN基LED。在注入电流⒛lllA下,纳米孔PsS上的InGaN/GaN LED的光功率比平面衬底LED提高33%,同时光电转换效率(wallv1ug cⅢcicncy,WPE)提高30%。表明纳米孔PSs提高了光提取效率。并通过测量辐射场型(如图5-52所示)得知具有纳米孔Pss的LED具有更大的出光角度。