图5-48 用TEM观察GaN外延生长的初始阶段、中间阶段、最后阶段的位错情况采用PSs生长GaN不仅可以提高晶体质量,而且可以提高出光强度。B39182-B9500-L310提高晶体质量一方面可以用TEM观测位错密度,另一方面可以通过Ⅺ射线衍射(XRD)用摇摆曲线测量外延层某个面的半峰宽(hll-width狨halImaximum,FWHM)来表征“剔。图5-49是两种不同的图形的PSs和平面蓝宝石衬底上外延生长的GaN层(102)面摇摆曲线及电致发光强度与驱动电流之间(￡-∫)的关系曲线。图中Css指平面蓝宝石衬底;HPsS指半球形图形蓝宝石衬底;MPsS指台柱状图形蓝宝石衬底。从图中可以明确看出平面蓝宝石衬底生长的GaN(102)面摇摆曲线FWHM明显比另外两种图形衬底的大,说明图形衬底上生长的GaN晶体质量更好。在L亻曲线上看到在相同的芯片尺寸和驱动电流下,图形衬底LED的发光强度明显比平面蓝宝石衬底LED的高,这一方面归因于图形衬底LED具有更好的晶体质量,内量子效率较高,最主要的原因还是图形衬底LED的光提取效率更高。