还有研究者将LED侧壁湿法腐蚀后得到粗化的效果提高了光提取效率。C,F.un等人u钊用汞灯和KoH溶液对InGaN/GaN MQW LED进行光电化学湿法蚀刻, FM24C128在少GaN和⒈GaN的中间的InGaN/GaN MQW层的侧壁在PEC中被蚀刻,横向蚀刻速率是42u四h,用PEC湿法蚀刻侧壁、横向蚀刻、背面蚀刻的样品比传统样品的出光功率分别高2,⒄倍、5.Qz+倍和1,73倍。光功率会提高是因为在MEsA活性区边形成了三角状的空气孔,在MESA侧壁形成晶粒状粗化表面和纳米量级的三角孔(如图5-32所示),光被粗化的侧壁散射从而增强了光提取效率。                 ^

   总之,通过侧腐蚀工艺改变芯片形状和去除激光切割后的吸光残留物是业界常用的工是芯片制造工艺中提高光提取效率的重要技术之一。