Ja-YcOla⒗m等D刀设计试验研究了以Ag/Al合金作为p-⒍Ⅸ高反射率接触的LED倒装芯片。Ag/A1表现出与⒉G渊很好的黏附性,并且无球聚发生。 EP1C3T144C8N图5-21左图上排是Ag基倒装芯片(Ag基FC LED)退火前后的表面形貌,左图下排Ag/A1合金作为反射层的倒装芯片(Ag/A1基FC LED)退火前后的表面形貌,明显退火后Ag/Al基FCLED表面粗糙度比Ag基FC LED的小;右图上下排分别是Ag基FC LED、Ag/Al基FC LED的俄歇电子能谱-深度曲线,从曲线中可以看出,Ag/Al基FC LED表面同时有0和~Al的存在。通过观察表面形貌和测试俄歇电子能谱深度曲线(如图5-21所示)认为在表面川被氧化和在Ag/Al界面Al被氧化而使的Ag/Al合金倒装LED具有很好的热稳定性。

   图5-21 左图上排(a)、 (b)、 (c)是Ag基倒装芯片(Ag基FC LED)退火前后的表面形貌,左图下排(d)、 (c)、 (f)Ag/Al合金作为反射层的倒装芯片(Ag/Al基FC LED)退火前后的表面形貌;右图(a)、 (b)分别是Ag基FC LED、Ag/A1基FC LED的俄歇电子能谱-深度曲线

对于紫光特别是紫外GaN基LED,Ag的反射率很低,不再适合作为反射金属。川是很好的反射金属,在紫外光谱区的反射率达呢%,但是因为其很低的功函数(4,26cV),使得其不能与p-GaN形成欧姆接触。Pd可以形成很好的欧姆接触,但是其反射率很低,在紫外区约40%。N。Lobo等人卩刨为了提高光提取效率,设计用纳米像素分布的P接触氮化物,其结构包含Pd欧姆接触像素阵列和Al反射层。如图5-”所示。通过调整像素Pd点的大小(图中`表示)、间距(图中〃表示)与电流的扩展距离匹配后,与大面积Pd方块接触样品相比,新的设计中光增强至两倍。