空穴则由光增强化学湿法刻蚀中所产生的空穴提供。对于n型GaN来说,多余的电子向GaN内部移动,EP1C20F324C7N对于蓝宝石衬底的n~⒍Ⅸ来说是Ga极性的,所以很多研究者采用PEC刻蚀时需要在G扒上制作贵金属纳米掩膜,同时采用外置偏压或者使用电子氧化耗体(oxidizing agcnt)。对于加外置偏压来说,将多余的电子通过电极另一端将水电解,而对于有电子耗尽体的则是将电子通过比如过硫酸根而消耗掉。C.Youtsey等人P刨用KoH溶液和Hg弧灯在室温下对GaN基LED

做粗化。原子力显微镜显示粗化后的均方根粗糙度为1,5nm,未做湿法粗化的平面表面方均根粗糙度为0,3nm。0.ⅡM的KoH浓度和40mW/cm2光强下刻蚀速率为50nwmin。与干法粗化相比,湿法粗化对GaN材料的损伤较小,并且不需要复杂的设备,操作简单,粗化

速率较快,但其表面形貌的可控性没有干法粗化好。

   传统的LED是正装结构的,即通常是阝G扒在器件的上表面,而湿法粗化对P极性GaN的粗化效果很微弱。因此,干法粗化虽然需要掩膜,需要较为昂贵、复杂的设备,但干法粗化仍旧经常被用来提高LED的光提取效率。干法粗化一般是采用金属(如Ni)或者其他无机(如Al203)或有机小颗粒(如聚苯乙烯小球)作为掩膜,然后到刻蚀设备中进行刻蚀。Hung-Ⅵ℃n Huang等人P刀在⒛0~s年研究了Ni纳米掩膜和干法蚀刻制作的纳米级粗化⒉GaN的InGaN-GaN基LED,粗化过的LED样品光功率是未粗化的1,4倍,⒛mA下电压从3,甾V下降到3,5V,串联电阻下降⒛%,归因于纳米粗化后表面接触面积增加,如图5-15所示。