制作透明导电层。采用电JAGASMAE子束蒸发或者其他方式制作透明导电层,目前比较成熟的透明导电材料为氧化铟锡(ITO),ITO材料有良好的导电性能同时本身为透明材料,并且ITo材料可以与p-⒍Ⅸ形成良好的欧姆接触。早期的透明导电层一般使用Ni从u合金,但是由于穿透率偏低已经被ITo取代。完成透明导电层镀膜后,通过光刻、湿法蚀刻等步骤露出n~⒍N与部分p-G瘀。ITo层的分布通常是在MEsA层的分布基础上往芯片内部缩进4~7um。

   ITo退火。去除光刻胶并清洗干净后使用高温炉管或者是快速退火炉(RTA)进行退火处理,形成透明导电层与p-GaN的欧姆接触,此欧姆接触的形成对LED芯片的正向电压影响非常大,通常会在氮气氛围,温度在500℃左右的条件下进行退火处理。

   制作绝缘保护层,使用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)沉积绝缘保护层,并经过光刻、湿法腐蚀、去胶清洗等步骤使得P电极与N电极的焊盘位置露出。此绝缘层可采用s⒑2、si3N4或者siON材料,这些材料是通过siH4(或者siH3￡H3等)与N20在PECVD机台中经过化学反应生成的。