LED行业目前大规模生产的蓝绿光LED芯片,通常是使用金属有机化学气相沉积机台(MOCVD)在蓝宝石衬底上生长GaN层形成GaN外延片, J430BNRB1并通过复杂的芯片制程将外延片加工成单颗LED芯片。因蓝宝石衬底是非导电材料,一般都会采用干法蚀刻技术在GaN面同时制作P、N双电极,即双电极同侧结构。此结构因出光面不同又分为正装结构和倒装结构。正装结构从GaN面(正面)出光,而倒装结构从蓝宝石面(背面)出光。

   本节重点讲述正装芯片结构,正装芯片有多种分类方式,可以按照发光颜色、芯片功率、应用范围等进行分类。为更好阐述芯片结构,本书根据芯片功率将正装芯片分为小功率芯片、中功率芯片、大功率芯片三类。一般地,按功率分类可以参考表⒋2。(目前LED

行业对3种功率芯片并没有严格定义,下表仅供参考。)