目前商业化的GaN基蓝绿光LED的外延衬底材料主要有蓝宝石、硅和碳化硅3种。 MLV-030D硅因其较活泼的化学性质,因此作为GaN的外延衬底常在芯片制造过程中用化学腐蚀的方法被去除,而将LED制作成垂直结构。但是,硅材料与GaN材料之间较大的晶格失配和热失配,加大了硅衬底GaN夕卜延技术的难度,目前技术不够成熟,应用不够广泛。碳化硅材料是GaN夕卜延的理想衬底,但因其价格昂贵,衬底晶体质量难以提高,且外延工艺技术、专利被少数公司垄断,因此也未得到广泛推广。所以,市场上应用最为广泛的是蓝宝石衬底,其成本适中、技术成熟。但蓝宝石的硬度高(莫氏硬度为9,仅次于金刚石),不利于后续加工,且热导率(25。⒓W/mK@100°C)较低,因此蓝宝石衬底GaN基LED芯片需要采用研磨抛光的方法将衬底减薄,此工艺一方面能顺利将晶片进行分离成单一独立的芯粒,另一方面减少衬底导入的热阻。